سامسونگ یک تراشه حافظه با پهنای باند بالا (HBM) ساخته است که بالاترین ظرفیت را در صنعت دارد. این غول کره جنوبی ادعا می کند که تراشه HBM3E 12H عملکرد و ظرفیت را بیش از 50 درصد افزایش می دهد. این تراشه کاربردهای زیادی در توسعه هوش مصنوعی دارد.
طبق وبلاگ رسمی سامسونگ، تراشه حافظه جدید HBM3E تا 36 گیگابایت در هر بسته ارائه می دهد. این تراشه جدید اولین حافظه 12 بسته ای HBM3E در جهان است که بالاترین ظرفیت را تا کنون دارد. چیپست HBM3E 12H سامسونگ پهنای باند بالایی تا 1280 گیگابیت بر ثانیه ارائه می دهد و بیش از 50 درصد نسبت به چیپست 8 لایه HBM3 8H بهبود یافته است.
مموری استیک سامسونگ HBM3E 12H
در تراشه جدید، سامسونگ به کاهش ضخامت مواد NCF ادامه داد و به کمترین فاصله بین تراشه ها (هفت میکرومتر) دست یافت. این منجر به افزایش چگالی عمودی حدود 20٪ در مقایسه با HBM3 8H می شود. به عبارت دیگر، این اسلاید جدید تقریباً همان ارتفاع گروه 8H است و امکان بسته بندی HBM یکسان را فراهم می کند.
مدل های مولد هوش مصنوعی مانند ChatGPT به تعداد زیادی تراشه حافظه نیاز دارند. این تراشه‌ها به مدل‌های هوش مصنوعی اجازه می‌دهند تا جزئیات مکالمات قبلی کاربر را به خاطر بسپارند تا پاسخ‌های طبیعی‌تری ارائه دهند.
با رشد تصاعدی برنامه های کاربردی هوش مصنوعی، انتظار می رود HBM3E 12H راه حل ایده آلی برای سیستم های آینده باشد که به حافظه بیشتری نیاز دارند. به عنوان مثال، پردازنده گرافیکی Nvidia H200 دارای 141 گیگابایت HBM3E است که سرعت کل آن 4.8 ترابایت بر ثانیه است. H200 از شش ماژول 24 گیگابایتی HBM3E 8H استفاده می کند. همین ظرفیت را می توان تنها با استفاده از چهار ماژول جدید چیپست 12H بدست آورد.
طبق برآوردهای سامسونگ، ظرفیت بالاتر تراشه 12H سرعت آموزش هوش مصنوعی را تا 34 درصد افزایش می دهد.
منبع: https://digiato.com/computers-hardware/samsung-unveils-new-memory-chip-with-highest-capacity-to-date-for-ai